随着全光网络的快速发展, 快慢光技术受到了广泛关注。为了研究半导体光放大器(SOA)的快慢光效应, 文章构建了辅助光注入半导体光放大器的理论模型。比较了辅助光注入SOA前后, 直流电流、调制电流、调制频率、相移以及增益系数等参数对相位延时量的影响。仿真结果表明: 辅助光的注入使输出信号光由慢光变为快光, 辅助光功率越强, 效果越明显。同时, 注入辅助光信号后, 直流电流越大, 相位延时量越大; 调制电流、调制频率、相移及增益系数越大, 相位延时量越小。

为了分析半导体光放大器(SOA)中慢光效应, 构建了基于SOA中相干布居振荡效应引起慢光现象的理论模型, 分析了SOA中电流的调制频率、调制电流大小、直流电流大小、线宽增强因以及调制电流的相移与相对相位对相位延时量的影响。分析结果表明: 慢光效应可以由调制电流的大小和调制频率控制; 当输入直流电流小于200 mA时, 对控制SOA中的慢光效果不明显; 与透明电流相比, 输入的直流电流较大或较小分别得到快光、慢光; 当线宽增强因子不为0时, 边带信号光从快光变为慢光; 当相移Ψ=0°或90°时一直为慢光, 当相移Ψ=180°时一直为快光; 改变调制电流的相对相位可以让信号在慢光和快光之间变换。

采用分子束外延技术制备了具有相同的均匀掺杂或指数掺杂的反射式(r-mode)和透射式(t-mode)GaAs光电阴极样品。利用在线光谱响应测试系统测试了它们的光谱响应，并对实验曲线进行拟合，得到了电子扩散长度和积分灵敏度。结果表明，经工艺处理后的t-mode样品，在均匀掺杂情况下其电子扩散长度的减小量是指数掺杂情况的两倍，积分灵敏度的降低量后者比前者少3%，因此指数掺杂方式有利于降低组件制备工艺对阴极材料发射层的影响。

利用X射线检测制导光纤在缠绕过程中产生的各种缺陷。通过对传统X射线仪拍摄图像的分析以及对点X射线扫描检测的模拟, 从理论上分析了X射线扫描检测光纤缠绕缺陷的可行性, 并进一步提出通过二维扫描对缺陷进行定位, 同时考虑了适当的匝间间隙对检测结果的影响, 并最终给出了相关的部分实验结果, 对实验中出现的相关问题进行了分析研究。